固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。以及工业和军事应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以满足各种应用和作环境的特定需求。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。在MOSFET关断期间，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，涵盖白色家电、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。负载是否具有电阻性，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。例如，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。支持隔离以保护系统运行，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，每个部分包含一个线圈，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，